芯片結構有平面和臺面之分，平面芯片工藝一般為淺結結構，臺面芯片工藝包含淺結和深結結構，二者芯片工藝對應產品及功能用途有所不同，兩者技術各有特點。平面工藝多適用于 MOS管、IGBT等晶體管芯片、肖特基二極管芯片以及部分功率二極管芯片制造；臺面工藝適用于FRD/FRED、TVS二極管、STD、穩壓二極管等大部分二極管GPP芯片制造。

鑒于功率半導體，尤其是功率二極管器件應用領域廣泛，細分產品規格型號數量繁多，在行業內各家芯片制造公司均是結合自身優勢，采用具有自身特色的具體工藝技術路徑。不同產品適用不同的最佳工藝路線，兩種工藝技術合理共存。自 20 世紀60年代平面工藝技術出現以來，平面工藝從未對功率二極管臺面工藝進行替代，平面工藝和臺面工藝不存在更新迭代關系。 

在中低壓功率二極管制造方面，平面工藝僅應用于部分中低壓產品生產，應用范圍較窄；多數中低壓產品采用GPP工藝，光阻法GPP工藝產品可與平面工藝產品具有同等性能，制作過程較為簡單，更加具有成本優勢和競爭力。在高壓功率二極管制造方面，平面工藝生產高耐壓產品不可避免需要采用分壓環，甚至要采用多道分壓環設計，如果要獲得同等有效通流面積，平面工藝芯片尺寸要比光阻法GPP工藝芯片尺寸更大，且平面工藝制作過程復雜，成本較高，不具有競爭力，高壓產品行業很少采用平面工藝。

在 FRD/FRED 芯片制造方面，平面工藝多適用于反向耐壓1200V 以下的續流管產品生產，用作整流二極管、高頻二極管、阻尼二極管、 1200V 以上高壓續流管等領域時，多采用臺面工藝。在TVS二極管芯片制造方面，平面工藝多適用于低壓小功率產品生產，主要在耳機、智能手環手表、手機等可穿戴類或便攜類消費類電子產品中抗靜電保護作用；其他細分領域，TVS二極管多采用臺面GPP工藝。在STD芯片制造方面，業內基本采用臺面GPP工藝。

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