過電壓保護(hù)元器件性能對(duì)比分析,工程師必知
發(fā)表日期:2021-03-01瀏覽:911
從上圖中,可以可以看出,各類過電壓保護(hù)器件中陶瓷氣體放電管GDT為通流量最大的器件,東沃電子(DOWOSEMI)單體器件能做到100kA(8/20μs)。GDT的導(dǎo)通為氣體電離形成導(dǎo)電通道,需要較大的能量去激發(fā)它,有一個(gè)能量累積的過程,因此GDT的響應(yīng)時(shí)間是所有過電壓保護(hù)器件中最慢的一個(gè)。GDT的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)電容低,絕緣阻抗大,可用于高速通信線路防雷保護(hù),如同軸電纜,電話線接口,高清視頻接口、以太網(wǎng)口等。
壓敏電阻的通流量?jī)H次于GDT,響應(yīng)速度為納秒級(jí),廣泛應(yīng)用于交流電源線,低頻信號(hào)線的防雷保護(hù)。東沃壓敏電阻單體通流量可以做到70kA(8/20μs ),壓敏電壓可做到 1800V。壓敏電阻是由氧化鋅和其他金屬氧化物采用材料混合及高溫?zé)Y(jié)的工藝制成的多晶半導(dǎo)體材料,其晶格結(jié)構(gòu)決定了它在應(yīng)用過程中長(zhǎng)期開關(guān)容易老化。而GDT 和玻璃放電管SPG具有較大的絕緣阻抗,在AC 輸入端,常常和 MOV 串聯(lián)到共模地來應(yīng)用,以減緩 MOV 的老化。
超大功率TVS二極管hyperfix,比如藍(lán)寶寶浪涌抑制器,它采用大面積芯片疊加制成,比普通的TVS二極管功率大幾十甚至幾百倍,可直接替代MOV應(yīng)用于交流輸入端口的第一級(jí)防雷保護(hù)。它具有通流量大、響應(yīng)速度快、無老化、鉗位電壓低等優(yōu)點(diǎn),適用于對(duì)防護(hù)器件要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合,如通信電源、飛機(jī)、火車等領(lǐng)域。
半導(dǎo)體放電管TSS是一種具有負(fù)阻特性的浪涌保護(hù)器件,由于其特殊的PN-PN結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在相同的芯片面積上,TSS可以做到比同尺寸及電壓的TVS通流量大幾倍,而電容比同規(guī)格的TVS小幾倍,可以用于一些通信線路的浪涌保護(hù),如 RS485、RS232、 CAN 總線等。TSS 具有較高的性價(jià)比,是低速通信線路浪涌防護(hù)的理想選擇。
TVS瞬態(tài)抑制二極管是單PN結(jié)或多個(gè)PN結(jié)集成在一起的器件,具有反應(yīng)速度快、鉗位電壓低、電壓精度高等優(yōu)點(diǎn)。TVS一般采用貼片或插件封裝,體積較小,常應(yīng)用于直流電源線或低速通信線路的浪涌防護(hù)。
ESD靜電保護(hù)二極管是專門設(shè)計(jì)的防靜電保護(hù)元器件,由多個(gè)二極管或TVS組合而成的具有特定線路布局的TVS陣列,其導(dǎo)通時(shí)間較TVS慢一些。靜電放電一般為納秒級(jí)的脈沖,破壞力相對(duì)較小,所以ESD器件的芯片晶粒面積也較小,可以做到小型微型化封裝。通過電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),ESD 器件結(jié)電容最小可以做到零點(diǎn)幾個(gè)皮法,適用于高速數(shù)據(jù)線路的ESD防護(hù),如 HDMI、USB3.0、IEEE1394 等。
作為國(guó)內(nèi)專業(yè)的電路保護(hù)元件廠商,東沃電子(DOWOSEMI)能為客戶提供高性價(jià)比的過電壓保護(hù)元器件及解決方案。東沃技術(shù)根據(jù)每種過電壓保護(hù)器件的性能特點(diǎn),取長(zhǎng)補(bǔ)短搭配選用,始終為客戶提供最優(yōu)的電路保護(hù)解決方案。竭誠(chéng)歡迎廣大客戶前來了解和咨詢:136 7581 6901(微信同號(hào))朱經(jīng)理