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Nexperia新添TrEOS系列ESD保護器件：PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM
發表日期：2023-01-06 來源：wwww.wlmlxlml.cn瀏覽：738
國際品牌安世Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。
雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5GHz，因此適用于5Gbps時的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。
東沃電子DOWOSEMI是一家專業的國產電路保護器件器件、二極管和三極管生產廠商，自主研發、生產、銷售的產品包括：TVS瞬態抑制二極管、ESD靜電保護器件、壓敏電阻、自恢復保險絲、陶瓷氣體放電管、穩壓二極管、整流二極管、肖特基二極管、快恢復二極管、開關二極管、三極管等等。東沃電子產品能夠完美替代各大國際品牌（Nexperia、Vishay、Littelfuse、Bourns、ON、Semtech、Protek、ST等等）對應的物料，竭誠歡迎廣大新老客戶前來咨詢：136 7581 6901（微信同號）朱工
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Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示：“Nexperia開發了TrEOS產品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關速度可為高速數據線提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脈沖所含的能量?！?/span>
單數據線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝，觸發電壓為6.3V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16A 100ns TLP時僅為2.4V，在20A 8/20µs浪涌時僅為3.4V。雙數據線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝，觸發電壓為8V，典型器件魯棒性超過14A 8/20µs，典型器件電容為0.82pF。雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5GHz，因此適用于5Gbps時的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。
東沃電子DOWOSEMI是一家專業的國產電路保護器件器件、二極管和三極管生產廠商，自主研發、生產、銷售的產品包括：TVS瞬態抑制二極管、ESD靜電保護器件、壓敏電阻、自恢復保險絲、陶瓷氣體放電管、穩壓二極管、整流二極管、肖特基二極管、快恢復二極管、開關二極管、三極管等等。東沃電子產品能夠完美替代各大國際品牌（Nexperia、Vishay、Littelfuse、Bourns、ON、Semtech、Protek、ST等等）對應的物料，竭誠歡迎廣大新老客戶前來咨詢：136 7581 6901（微信同號）朱工
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